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IRF6616TR1PBF中文资料

IRF6616TR1PBF图片

IRF6616TR1PBF外观图

  • 大小:276.5KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, DIRECTFET, 40V, MX; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:40V; Current, Id Cont:19A; Resistance, Rds On:3.7mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:MX; Termination Type:SMD; Base Number:6616; Current, Idm Pulse:150A; Power Dissipation:2.8mW; SMD Marking:2.8; Voltage, Vds:40V; Voltage, Vgs th Max:2.25V; Voltage, Vgs th Min:1.35V
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:19A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 毫欧 @ 19A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:44nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3765pF @ 20V
  • 功率 - 最大:2.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 MX
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? MX
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6616TR1PBF-NDIRF6616TR1PBFTR

IRF6616TR1PBF供应商

更新时间:2023-01-31 14:28:11
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